Расчет схемы с общей базой

расчет схемы с общей базой
Данная схема, несмотря на сложность, позволяет каскаду сохранять усилительные свойства в очень широком интервале рабочих температур. Однако, поскольку в качестве нагрузки можно использовать резистор с большим сопротивлением, транзистор в данной схеме может служить для передачи тока низкоомного источника на высокоомную нагрузку, обеспечивая тем самым значительное усиление мощности. Недостатками схемы являются малое входное дифференциальное сопротивление и отсутствие усиления по току, так как α<1.{\displaystyle \alpha <1.}.

Литература по теме: Небольшой учебник «Азы транзисторной схемотехники» (около 380 килобайт), найденный мной в интернете, можно скачать по этой ссылке. Входным является перемнное напряжение uб-э, а выходным — перемнное напряжение на резисторе, или что то же самое, напряжение коллектор-эмиттер. При работе вблизи предельной частоты фаза тока коллектора начинает отставать от фазы тока эмиттера, так как на прохождение неосновных носителей через базовый слой требуется конечное время. Современные транзисторы в состоянии рассеивать мощность в несколько десятков и даже сотен ватт.

Однако, есть еще несколько комбинаций открытости/закрытости p-n переходов, каждая из которых представляет отдельный режим работы транзистора.Инверсный активный режим. Самым распространенным включением транзистора по сравнению с ОК и ОБ является схема с общим эмиттером (ОЭ). Причина такой распространенности, прежде всего, высокий коэффициент усиления по напряжению и по току. Так как площадь контакта p-n перехода у коллектора и эмиттера разные, то менять полярность подключения нельзя. Емкость этого конденсатора зависит от рабочей частоты усилителя. Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех чередующихся областей полупроводника с различным типом проводимости (р-п-р или п-р-п) с выводом от каждой области. На рис. 1.8, а показан n-р-n-транзистор, а на рис. 1.9, а – р-п-р-транзистор.

Похожие записи: